SSM6K406TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UF-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6K406TU

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

5.5 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tags

SSM6K40, SSM6K4, SSM6K, SSM6, SSM