IXKH20N60C5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

COOLMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.45 mm

Longitud:

16.24 mm

Serie:

IXKH20N60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

CoolMOS Power MOSFET

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXKH, IXK