MD7IC2012NR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

70 mA

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

31.5 dB

Potencia de salida:

1.3 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-270-WB-14

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

2110 MHz to 2170 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Parte # Alias:

935314984528

Unidad de peso:

0.058255 oz

Tags

MD7IC20, MD7IC2, MD7I, MD7