NJV4030PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

160 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

NJT4030P

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400 at 1 A, 1 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 1 A, 1 V

Pd - Disipación de energía:

2 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

NJV4030P, NJV4030, NJV40, NJV4, NJV