PMD12K100

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3-2

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2 V

Corriente máxima del colector de CC:

8 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

4 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

20000

Embalaje:

Bandeja

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

8 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

1000

Pd - Disipación de energía:

100 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

20

Subcategoría:

Transistores

Tags

PMD12K, PMD12, PMD1, PMD