HUF75339G3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

75 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.82 mm

Longitud:

15.87 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

150

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

HUF75339G3_NL

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

HUF75339, HUF7533, HUF753, HUF75, HUF7, HUF