RSQ020N03TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-457T-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

96 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RSQ020N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

RSQ020N03

Tags

RSQ020, RSQ02, RSQ0, RSQ