NJVMJD210T4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

25 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

8 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.8 V

Corriente máxima del colector de CC:

10 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

65 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MJD210

Ganancia de corriente CC hFE Max:

180 at 2 A, 1 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

45 at 2 A, 1 V

Pd - Disipación de energía:

12.5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV