IXTP96P085T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220AB-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

85 V

Id - Corriente de drenaje continua:

96 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

180 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

298 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTP96P085

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

34 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

34 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

23 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP9, IXTP, IXT