STB120NF10T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

D2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

110 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

172 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

312 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.6 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STB120NF10

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Escribe:

MOSFET

Ancho:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

68 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

90 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

132 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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