QPD1014SR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

18.4 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

145 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Potencia de salida:

12.5 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

55 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

15.8 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

30 MHz to 1200 MHz

Serie:

QPD1014

Marca:

Qorvo

Transconductancia directa - Mín .:

-

Kit de desarrollo:

QPD1014EVB01

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QPD1014

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD