CMNDM8001 TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-953

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

658 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMNDM

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Parte # Alias:

CMNDM8001 PBFREE TR

Tags

CMNDM, CMND, CMN