ZXTN2010ZQTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

190 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

8.1 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

230 mV

Corriente máxima del colector de CC:

20 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

130 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

ZXTN2010

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

5 A

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ZXTN2010Z, ZXTN2010, ZXTN201, ZXTN20, ZXTN2, ZXTN, ZXT