IPI60R250CPAKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

250 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.45 mm

Longitud:

10.2 mm

Serie:

XPI60R250

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

110 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Parte # Alias:

IPI60R250CP SP000358141

Unidad de peso:

0.073511 oz

Tags

IPI60R2, IPI60R, IPI60, IPI6, IPI