SPP04N60C3XKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

850 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

50 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

4.4 S

Otoño:

9.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

58.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

SP000681024 SPP04N60C3

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

SPP04N60C3, SPP04N60C, SPP04N6, SPP04, SPP0, SPP