NTD3055L104-1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

104 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

7.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.35 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

NTD3055L104

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2.38 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

9.1 S

Otoño:

40.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

104 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.2 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

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