VN2210N3-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

A granel

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.21 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

Tecnología de microchip

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.015873 oz

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