FDMD8560L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power 5 x 6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.4 mOhms, 5.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

92 nC, 92 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

FDMD8560L

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

98 S, 98 S

Otoño:

11 ns, 11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

57 ns, 57 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns, 20 ns

Unidad de peso:

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM