TP65H050WS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Transphorm

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

GaN Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

119 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Transphorm

Otoño:

11 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

86 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

51 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6