BSM50GD120DN2E3226

BSM50GD120DN2E3226
Mfr. #:
BSM50GD120DN2E3226
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BSM50GD120DN2E3226 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
Módulos IGBT
Producto:
Módulos de silicio IGBT
Configuración:
Hex
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
1200 V
Voltaje de saturación colector-emisor:
2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C:
50 A
Corriente de fuga puerta-emisor:
200 nA
Pd - Disipación de energía:
350 W
Paquete / Caja:
EconoPACK 2
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Embalaje:
Bandeja
Altura:
17 mm
Longitud:
107.5 mm
Ancho:
45.5 mm
Marca:
Infineon Technologies
Estilo de montaje:
Montaje en chasis
Voltaje máximo del emisor de puerta:
20 V
Tipo de producto:
Módulos IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
10
Subcategoría:
IGBT
Parte # Alias:
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366
Tags
BSM50GD120DN2E3, BSM50GD120DN2E, BSM50GD120DN, BSM50GD120D, BSM50GD12, BSM50GD1, BSM50GD, BSM50G, BSM5, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V 50A 3-PHASE
***omponent
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A, Power module, 3-phase full-bridge, including fast free-wheel diodes, package with insulated metal base plate, E3226: long terminals, limited currect per terminal
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
DISTI # BSM50GD120DN2E3226BOSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Limited Supply - Call
  • 10:$134.4000
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
DISTI # BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom 350W FL Bridge T/R - Trays (Alt: BSM50GD120DN2E3226BOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Americas - 0
  • 10:$130.7900
  • 20:$125.9900
  • 40:$121.4900
  • 60:$117.3900
  • 100:$115.2900
BSM50GD120DN2E3226
DISTI # 641-BSM50GD120DN2E32
Infineon Technologies AGIGBT Modules N-CH 1.2KV 50A0
    Imagen Parte # Descripción
    BSM50GD120D2

    Mfr.#: BSM50GD120D2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120D2-1190

    Nuevo y original
    BSM50GD120DCL

    Mfr.#: BSM50GD120DCL

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DCL-1190

    Nuevo y original
    BSM50GD120DLCE3224

    Mfr.#: BSM50GD120DLCE3224

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCE3224-1190

    Nuevo y original
    BSM50GD120DLCE3256

    Mfr.#: BSM50GD120DLCE3256

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCE3256-1190

    Nuevo y original
    BSM50GD120N2

    Mfr.#: BSM50GD120N2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120N2-1190

    Nuevo y original
    BSM50GD120DLCBOSA1

    Mfr.#: BSM50GD120DLCBOSA1

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCBOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    Trans IGBT Module N-CH
    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

    Mfr.#: BSM50GD120DN2E3226BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2E3226BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
    BSM50GD120DN2G

    Mfr.#: BSM50GD120DN2G

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
    BSM50GD120DN2

    Mfr.#: BSM50GD120DN2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2-125

    IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
    BSM50GD120DLC

    Mfr.#: BSM50GD120DLC

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLC-125

    IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1000
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    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    138,89 US$
    138,89 US$
    5
    136,16 US$
    680,80 US$
    10
    129,81 US$
    1 298,10 US$
    25
    127,09 US$
    3 177,25 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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