PSMN1R8-40YLC,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.05 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

96 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

272 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

31.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

62.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

32.2 ns

Unidad de peso:

0.003002 oz

Tags

PSMN1R8-4, PSMN1R8, PSMN1R, PSMN1, PSMN, PSM