2N5655G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-225-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

250 V

Colector- Voltaje base VCBO:

275 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

10 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2N5655

Altura:

11.04 mm (Max)

Longitud:

7.74 mm (Max)

Embalaje:

A granel

Ancho:

2.66 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

0.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30

Pd - Disipación de energía:

20 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.021200 oz

Tags

2N565, 2N56, 2N5