NTGD3147FT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

145 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 25 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

6.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG