STP30NM50N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

27 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

190 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

9.15 mm

Longitud:

10.4 mm

Serie:

STB30NM50N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

4.6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

23 S

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

115 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

23 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP30NM, STP30N, STP30, STP3, STP