SPU09P06PL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2.38 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

1.8 S

Otoño:

89 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

168 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

49 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SPU0, SPU