DMG4511SK4-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

35 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.3 A, 5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

65 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

18.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.54 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG4511

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

4.5 S

Otoño:

35.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Tags

DMG45, DMG4, DMG