FDD4N60NZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.9 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

114 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

FDD4N60NZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

3.4 S

Otoño:

12.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.7 ns

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FDD4, FDD