IPS060N03LGAKMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

50 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

30 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

56 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.38 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

34 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

G IPS060N03L IPS060N03LGXK SP000705724

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPS060N03LG, IPS060, IPS06, IPS0, IPS