VND5N07-E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

70 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

18 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Serie:

VND5N07-E

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

3 S

Otoño:

1100 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

400 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

3900 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

150 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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