TSM2301BCX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

5.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

P-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S

Otoño:

34 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

TSM2301B, TSM2301, TSM230, TSM23, TSM2, TSM