CSD23382F4T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

199 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

800 mV

Qg - Carga de puerta:

1.04 nC

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.35 mm

Longitud:

1 mm

Serie:

CSD23382F4

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

0.64 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

3.4 S

Otoño:

41 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

66 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.000014 oz

Tags

CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD