SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7196DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7196DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI71xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7196DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
12 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
15.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
11 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
22 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
21 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7196DP-T, SI7196D, SI7196, SI719, SI71, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 15.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***nell
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:60000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7196DP-T1-GE3
DISTI # SI7196DP-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7196DP-T1-GE3
    DISTI # SI7196DP-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI7196DP-T1-GE3
      DISTI # SI7196DP-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI7196DP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7196DP-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
        RoHS: Compliant
        0
          Imagen Parte # Descripción
          SI7196DP-T1-GE3

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          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3
          SI7196DP-T1-E3

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          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-E3-VISHAY

          RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W
          SI7196DP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-GE3-VISHAY

          RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 41.6W 1.1mohm @ 10V
          SI7196DP

          Mfr.#: SI7196DP

          OMO.#: OMO-SI7196DP-1190

          Nuevo y original
          SI7196DP-T1-EG3

          Mfr.#: SI7196DP-T1-EG3

          OMO.#: OMO-SI7196DP-T1-EG3-1190

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          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
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          0,00 US$
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