RM45P20D3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Rectron

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

19 V

Id - Corriente de drenaje continua:

45 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

55 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

80 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Rectron

Transconductancia directa - Mín .:

80 S

Otoño:

23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

42 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Tags

RM45, RM4