APT18M80B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

19 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

530 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

120 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

27 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

31 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

21 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

APT18M, APT18, APT1, APT