STB18N60DM2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

260 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

90 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Serie:

STB18N60DM2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

32.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.5 ns

Unidad de peso:

0.079014 oz

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