FDP023N08B-F102

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

242 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.96 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

150 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

245 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.3 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FDP023N08B

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

185 S

Otoño:

56 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

71 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

111 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

41 ns

Parte # Alias:

FDP023N08B_F102

Unidad de peso:

0.082753 oz

Tags

FDP023N, FDP023, FDP02, FDP0, FDP