IRF1902GTRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

85 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Qg - Carga de puerta:

7.5 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

5.6 S

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001561612

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF