DMN33D8LV-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, NPN

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.25 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

430 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

13.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.9 ns

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DMN33D, DMN33, DMN3, DMN