NE5230DR2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Amplificadores operacionales: amplificadores operacionales

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Voltaje de suministro - Máx:

15 V

Corriente de salida por canal:

6 mA

Número de canales:

1 Channel

GBP - Producto de ganancia de ancho de banda:

250 kHz

SR - Tasa de respuesta:

0.09 V/us

CMRR - Relación de rechazo de modo común:

85 dB

Ib - Corriente de polarización de entrada:

150 nA

Vos - Voltaje de compensación de entrada:

3 mV

Voltaje de suministro - Min:

1.8 V

Corriente de suministro de funcionamiento:

110 uA

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Apagar:

No apagarse

Serie:

NE5230

Embalaje:

Carrete

Tipo de amplificador:

Low Voltage Amplifier

Altura:

1.5 mm (Max)

Longitud:

5 mm (Max)

Producto:

Amplificadores operacionales

Tipo de alimentación:

Simple, doble

Tecnología:

Bipolar

Ancho:

4 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Voltaje de suministro dual:

+/- 3 V, +/- 5 V

es - Densidad de ruido de voltaje de entrada:

60 nV/sqrt Hz

Voltaje de suministro dual máximo:

+/- 7.5 V

Voltaje de suministro dual mínimo:

+/- 0.9 V

Voltaje de suministro operativo:

1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Tipo de producto:

Op Amps - Operational Amplifiers

PSRR - Relación de rechazo de la fuente de alimentación:

85 dB

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Circuitos integrados de amplificador

Vcm - Voltaje de modo común:

Negative Rail + 0.25 V to Positive Rail - 0.25 V

DB de ganancia de voltaje:

126.02 dB

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

NE5230DR, NE5230D, NE5230, NE523, NE52, NE5