BUZ31 E3046

BUZ31 E3046
Mfr. #:
BUZ31 E3046
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BUZ31 E3046 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
200 V
Id - Corriente de drenaje continua:
14.5 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
200 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
95 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Altura:
15.65 mm
Longitud:
10 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.4 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
60 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
50 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
150 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
12 ns
Parte # Alias:
BUZ31E3046XK
Unidad de peso:
0.084199 oz
Tags
BUZ31, BUZ3, BUZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BUZ31 E3046
DISTI # BUZ31E3046-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    Imagen Parte # Descripción
    BUZ31 E3046

    Mfr.#: BUZ31 E3046

    OMO.#: OMO-BUZ31-E3046

    MOSFET N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
    BUZ31

    Mfr.#: BUZ31

    OMO.#: OMO-BUZ31-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
    BUZ31 , MAX6482BL33BD3

    Mfr.#: BUZ31 , MAX6482BL33BD3

    OMO.#: OMO-BUZ31-MAX6482BL33BD3-1190

    Nuevo y original
    BUZ31 E3046

    Mfr.#: BUZ31 E3046

    OMO.#: OMO-BUZ31-E3046-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
    BUZ31 L3045A

    Mfr.#: BUZ31 L3045A

    OMO.#: OMO-BUZ31-L3045A-1190

    Nuevo y original
    BUZ312

    Mfr.#: BUZ312

    OMO.#: OMO-BUZ312-1190

    Nuevo y original
    BUZ31H

    Mfr.#: BUZ31H

    OMO.#: OMO-BUZ31H-1190

    Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    BUZ31H3046XKSA1

    Mfr.#: BUZ31H3046XKSA1

    OMO.#: OMO-BUZ31H3046XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
    BUZ31L

    Mfr.#: BUZ31L

    OMO.#: OMO-BUZ31L-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
    BUZ31L H

    Mfr.#: BUZ31L H

    OMO.#: OMO-BUZ31L-H-INFINEON-TECHNOLOGIES

    MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5000
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