MRFE6VP6300HSR3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

130 V

Ganar:

26.6 dB

Potencia de salida:

300 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 30 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-780S-4

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

1.8 MHz to 600 MHz

Serie:

MRFE6VP6300

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Pd - Disipación de energía:

1.05 kW

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Unidad de peso:

0.161213 oz

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