BSM50GX120DN2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

3-Phase

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.5 V

Corriente continua del colector a 25 C:

78 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

200 nA

Pd - Disipación de energía:

400 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Marca:

Infineon Technologies

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372

Tags

BSM50G, BSM5, BSM