CMLDM8120G TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

860 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

240 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

760 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

3.56 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMLDM8

Marca:

Semiconductor central

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

CMLDM8120G PBFREE TR

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

CMLDM8120GT, CMLDM8120G, CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML