SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4814BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4814BDY-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
PEQUEÑO PIE
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI4814BDY-GE3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SO
Configuración
Dual con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potencia máxima
3.3W, 3.5W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
10A, 10.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
10nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
1.9 W 2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
18 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SI4814BDY-T, SI4814BDY, SI4814B, SI4814, SI481, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4814BDY-T1-GE3
DISTI # SI4814BDY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4814BDY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4814BDY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SI4814BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
      SI4814BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V
      SI4814BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W
      SI4814BD-T1-E3

      Mfr.#: SI4814BD-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4814BD-T1-E3-1190

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      SI4814BDY

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      SI4814BDY-T1-E

      Mfr.#: SI4814BDY-T1-E

      OMO.#: OMO-SI4814BDY-T1-E-1190

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      Available
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      0,00 US$
      500
      0,00 US$
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