2N7000RLRPG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

2N7000

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.0001 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.016000 oz

Tags

2N7000R, 2N7000, 2N700, 2N70, 2N7