BLV32F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

32 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Corriente continua del colector:

4 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

316-01

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

224 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd - Disipación de energía:

82 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Subcategoría:

Transistores

Tags

BLV3, BLV