IPU80R2K8CEBKMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

CoolMOS CE

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.38 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

72 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

IPU80R2K8CE SP001100622

Unidad de peso:

0.012102 oz

Tags

IPU80R2K8, IPU80R2, IPU80, IPU8, IPU