SI6441DQ-T1-E3

SI6441DQ-T1-E3
Mfr. #:
SI6441DQ-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 1.08W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI6441DQ-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Chips de IC
Serie
SI6441DQ
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI6441DQ-T1
Unidad de peso
0.005573 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TSSOP-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 P-Channel
Disipación de potencia Pd
1.08 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
13 ns
Hora de levantarse
13 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
6.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
15 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
95 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI6441, SI644, SI64, SI6
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Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI6441DQ-T1-E3
DISTI # 781-SI6441DQ-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 1.08W
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.2900
  • 6000:$1.2400
Imagen Parte # Descripción
SI6441DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6441DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6441DQ-T1-GE3

MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V
SI6441DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6441DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6441DQ-T1-E3

MOSFET 30V 8.0A 1.08W
SI6441DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6441DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6441DQ-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V
SI6441DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6441DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6441DQ-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 1.08W
SI6441DQ

Mfr.#: SI6441DQ

OMO.#: OMO-SI6441DQ-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
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