DMG6601LVT-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOT-26-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A, 2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

12.3 nC, 13.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG6601

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

15.6 ns, 2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.4 ns, 4.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31.2 ns, 18.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.6 ns, 1.7 ns

Unidad de peso:

0.000459 oz

Tags

DMG6601, DMG66, DMG6, DMG