2N1131

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

35 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

50 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

0.6 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

15 at 5 mA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

600 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N1131 PBFREE

Unidad de peso:

0.035486 oz

Tags

2N1131, 2N113, 2N11, 2N1